MCR型SVC動態無功補償裝置

磁控電抗器型動態無功補償裝置(簡稱MCR型SVC),該裝置具有輸出諧波含量小、功耗低、免維護、結構簡單、可靠性高、價格低廉、占地面積小等顯著優點是目前國內理想的動態無功補償裝置。圖1-1為10kVMCR型SVC戶外裝置外觀圖。




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概述


電力系統電壓、無功和諧波三大指標對提高全網經濟效益和改善供電質量至關重要。目前,國內傳統的分組投切電容器補償裝置和固定的電容器組補償裝置的調節方式是離散的,不能取得理想的補償效果;同時,開關投切電容器組所造成的涌流和過電壓對系統和設備本身都會產生危害;現有動態無功補償裝置,如相控電抗器(TCR型SVC)不僅價格貴,而且存在占地面積大、結構復雜,維護量大等缺點。磁控電抗器型動態無功補償裝置(簡稱MCR型SVC),該裝置具有輸出諧波含量小、功耗低、免維護、結構簡單、可靠性高、價格低廉、占地面積小等顯著優點是目前國內理想的動態無功補償裝置。圖1-1為10kVMCR型SVC戶外裝置外觀圖。

MCR主要技術參數


1.額定容量 : 600~25000  kvar
2.額定電壓 : 6、10、35   kV
4.額定頻率 : 50   Hz
5.相    數 : 3 相
6.總損耗比:2.5 %~1.1 %
7.溫升限值: 繞組平均溫升≤65K,油頂層溫升≤55K
8.冷卻方式: ONAN或ONAF
9. 絕緣水平:額定電壓 6 kV: AC 25 / LI 60 kV
額定電壓 10kV: AC 35 / LI 75 kV
額定電壓 35kV:AC 85 / LI 200 kV(或AC 95 / LI 200 kV)
10.噪  聲: ≤60dB 、 65dB 、70dB 、78dB(或相當于同容量變壓器)
11. 變壓器油:變壓器油45號或25號。
12. 安裝地點:戶內或者戶外

MCR特點

表:磁控電抗器(MCR)與相控電抗器(TCR)的技術經濟比較

項目

磁控式電抗器MCR

相控電抗器TCR

可靠性

可控硅安裝在控制回路,承受的電壓僅為主回路的1%,可靠性高

可控硅和電抗器處于同一相電壓之下,降低了可控硅的可靠性,任何一只擊穿,都會使可控硅整體損壞

諧波水平

諧波含量低,三相角接系統的電流總畸變率THDI 小于5%

5、7 次諧波的含量豐富,所產生的諧波電流總畸變率THDI 約在20% 左右

設備造價

MCR 體積僅為TCR 的1/3 左右,設備造價低。

系統的復雜程度高,設備造價大

電磁污染

空心電抗器對周圍輻射大量工頻磁場對人體健康有影響

調節時間

0.1~0.3s

50ms左右

環境要求

對諧波、電壓波動等無特殊要求

要求較高

運行方式

連續調節(無級)

連續調節(無級)

運行維護

免維護

結構復雜,維護量大

適用范圍

可直接運行于任何電壓等級電網且安裝簡單、調試方便

電壓等級越高,困難程度越大

聯系方式


電話:025-52095897
地址:江蘇省南京市江寧區水閣路6號

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